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IPB042N10N3G INFINEON/英飞凌 功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V,
100 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TO-263-3 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
| Id-连续漏极电流: | 100 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 4.2 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 88 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 214 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | OptiMOS | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 14 ns | |
| 正向跨导 - 最小值: | 73 S | |
| 高度: | 4.4 mm | |
| 长度: | 10 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 59 ns | |
| 系列: | OptiMOS 3 | |
| 工厂包装数量: | 1000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 48 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 27 ns | |
| 宽度: | 9.25 mm | |
| 零件号别名: | IPB42N1N3GXT SP000446880 IPB042N10N3GATMA1 | |
| 单位重量: | 324 mg |
