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IRFB4410ZPBF INFINEON/英飞凌 TO-220-3
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 97 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 7.2 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.8 V | |
Qg-栅极电荷: | 83 nC | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 175 C | |
Pd-功率耗散: | 230 W | |
通道模式: | Enhancement | |
封装: | Tube | |
商标: | Infineon / IR | |
配置: | Single | |
高度: | 15.65 mm | |
长度: | 10 mm | |
产品类型: | MOSFET | |
工厂包装数量: | 1000 | |
子类别: | MOSFETs | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
宽度: | 4.4 mm | |
零件号别名: | IRFB4410ZPBF SP001564008 | |
单位重量: | 2 g |