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IPG20N06S4L-26 INFINEON/英飞凌 PG-TDSON-8
| 产品种类: | MOSFET | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TDSON-8 | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| 通道数量: | 2 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 60 V | |
| Id-连续漏极电流: | 20 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 21 mOhms, 21 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 16 V, + 16 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V | |
| Qg-栅极电荷: | 20 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 175 C | |
| Pd-功率耗散: | 33 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 资格: | AEC-Q101 | |
| 商标名: | OptiMOS | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Dual | |
| 下降时间: | 10 ns, 10 ns | |
| 高度: | 1.27 mm | |
| 长度: | 5.9 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 1.5 ns, 1.5 ns | |
| 系列: | OptiMOS-T2 | |
| 工厂包装数量: | 5000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 2 N-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 18 ns, 18 ns | |
| 典型接通延迟时间: | 5 ns, 5 ns | |
| 宽度: | 5.15 mm | |
| 零件号别名: | IPG2N6S4L26XT SP000705588 IPG20N06S4L26ATMA1 | |
| 单位重量: | 96.440 mg |
