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IRF7103TRPBF INFINEON/英飞凌 MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 50V 3A 2W 表面贴装型 8-SO
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | 2 N-通道(双) | |
FET 功能 | 标准 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 3A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 30nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 290pF @ 25V | |
功率 - 最大值 | 2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
基本产品编号 | IRF7103 |