FDV303N 是采用 SOT-23 封装的表面贴装、N 通道逻辑电平增强模式数字 FET。该器件具有高单元密度、DMOS 技术，该技术专为最大限度地降低导通电阻和保持低栅极驱动条件而设计。即使在低至 2.5V 的栅极驱动电压下，它也具有出色的导通电阻，设计用于使用一节锂或三节镉或 NHM 电池的电池电路、逆变器、手机等电子设备中的高效微型分立 DC/DC 转换和寻呼机。
- 25V 的漏源电压 (Vds)
- 8V 栅源电压
- 680mA 的持续漏极电流 (Id)
- 功耗 (Pd) 为 350mW
- Vgs 4.5V 时的低导通电阻为 330mohm
- 工作温度范围 -55°C 至 150°C
