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DMG6602SVT-7 DIODES美台 MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 3.4A，2.8A 840mW 表面贴装型 TSOT-26
类别 | 分立半导体产品 FET、MOSFET 阵列 | |
制造商 | Diodes Incorporated | |
系列 | - | |
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 | |
Product Status | 不适用于新设计 | |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | |
FET 功能 | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 | |
漏源电压（Vdss） | 30V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.4A，2.8A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 400pF @ 15V | |
功率 - 最大值 | 840mW | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | |
供应商器件封装 | TSOT-26 | |
基本产品编号 | DMG6602 |
