前情回顾：
第一期：松下MOSFET驱动器——可实现高输出电压和高速操作！
在上一篇文章中我们概述了“MOSFET驱动器”。作为产业设备、信息基础设施、蓄电系统、汽车等用途中主流的Si-MOSFET和SiC-MOSFET，为了适应行业需求，松下推出“高输出电压”和“高速操作”MOSFET驱动器。
在本文中，我们将介绍实现“高输出电压”解决方案。
话不多说，
接下来小编带您一探究竟！
希望通过在栅源之间施加高电压 (Vgs) 来降低MOSFET的导通电阻 虽然主流的SiC-MOSFET的输出特性极具优势，但是需要使用2颗以往通用的MOSFET驱动器才能充分降低导通电阻，这会导致电路板的占板面积大的问题。 解决方案：松下的新MOSFET驱动器可实现! Vgs=Typ.18 V可输入，可以充分降低SiC-MOSFET的导通电阻! 松下的新MOSFET驱动器，只需一颗就可以充分降低SiC-MOSFET的导通电阻! 在使用SiC等希望施加高门电压的MOSFET时，松下的MOSFET驱动器高输出电压类型可放心使用。
