芯片大师近期报道故技重施！美国正阻止EUV光刻机进入海力士中国厂，11月22日，韩国半导体工业协会成立30年纪念活动在首尔举办。与会期间，SK海力士CEO 李锡熙和媒体交流时谈到了无锡海力士半导体工厂相关情况。
关于EUV光刻机进厂可能延期的问题，李锡熙表示，正与美方合作，进展良好。EUV光刻技术已经在韩国本土的DRAM产线上应用，中国工厂还有充足的时间供斡旋沟通。
据悉，SK海力士将基于EUV光刻机制造10nm（1A） DRAM芯片，也就是第四代内存芯片，而本次计划扩产EUV工艺的中国无锡工厂同样计划应用相关技术。
美国贸易代表戴琪在最近访问首尔期间表示，“出于合法担忧，更多的此类举措是可能的”。
资料显示，无锡海力士工厂的DRAM产能大约占SK海力士全球产能的50%，而SK海力士的DRAM全球市占率为27.2%，仅次于三星。
