3月22日，DIGITIMES援引业内消息人士称，中国大陆最大DRAM制造商长鑫存储（CXMT）准备开始交付使用17nm工艺制造的DRAM芯片样品。
报道称，长鑫存储的17nm制程成品率初步达到40%，并将在2022年继续提升，而产能将在2022年下半年提高到6万至8万片12英寸晶圆/月。
长鑫存储将17nm工艺节点作为下一代主流制造技术。该人士认为，当其17nm制程成品率提高到成熟水平时，将能够提高DDR3和DDR4产能，并将在专业DRAM领域与包括南亚科技和华邦电子在内的中国台湾同行展开直接竞争。
南亚科技和华邦电子均计划建立各自的12英寸晶圆厂，用于生产专业DRAM芯片，新晶圆厂计划于2024年投产。在规模较大的国际同行纷纷退出低密度DRAM市场之际，两家公司都做出了兴建新晶圆厂的决定。
华邦电子于2018年在高雄兴建新的12英寸晶圆厂，第一阶段将在2022年底使用其第二代25nm工艺技术制造芯片，即25S。
同时，该厂第二阶段计划到2022年第四季度将月产量将增至1万片12英寸晶圆，一年后将再投入生产1万片。
南亚科技也宣布将新建一座12英寸晶圆厂，用于该公司内部开发的10nm级和基于EUV的工艺制造。该芯片制造商预计2024年在新工厂的一期工厂开始批量生产，初步产能预计为每月1.5万片晶圆。
