4月14日，英飞凌公布第一款用于太空旅行的防辐射串行2Mb FRAM（铁电RAM），而过人之处在于在宇航器件上实现了惊人的“无限寿命”。
图：寿命无限的存储器
英飞凌的这颗FRAM存储芯片符合QML-V标准（航天级IC的最高质量和可靠性标准认证），基于其材料特性和设计，实现了几乎无限的使用寿命，同时超过100年（85°C下可保存120年，实际使用一般更长）的数据保留能力也已经超过了人类目前的宇航史。
芯片大师曾经盘点盘点：那些宇航级CPU和“上天”的奥秘，要知道，用在航天器上的器件，一般优化性能、体积远比提升使用寿命（稳定性）要容易得多。跟民用级IC相比，寿命更是甩开几个数量级。
不为人知的是，在功率领域独步天下的英飞凌背后，在航天领域拥有近40年积累的“黑科技”。
图：首位登上太空的华人物理学家王赣骏
1985年，NASA的“挑战者”号搭载了七名宇航员进入太空，值得一提的是，其中包括第一位进入太空的华人和一面五星红旗。
同年，一个名为IR HiRel（后于2014年成为英飞凌子公司）的项目启动，开始为航天器提供顶级可靠性和抗辐射性能的器件。
次年，“挑战者”号因一枚钢圈在发射不久失效造成爆炸，造成7名宇航员在全世界关注中丧生，成为人类宇航史上最惨烈的事故，也是一起最著名的因器件失效导致的灾难。
因此，宇航级器件的测试标准和性能冗余预期再一次被人类的终极梦想和痛苦回忆拉高。
图：抗辐射双功率MOSFET
1985年，IR HiRel项目推出了第一个产品，一款是硬功率MOSFET。这种器件于1960年诞生于贝尔实验室，而功率器件界的元老IR（国际整流器）公司1947年就成立了，也是有史以来第一家提供宇航级MOSFET的制造商。
IR HiRel的产品因最佳性能和使用寿命的设计而一直延续至今，包括用于地球同步和地球静止轨道、中地球轨道 (MEO) 和低地球轨道 (LEO) 的数千个项目中。
这些器件和航天器一起常年暴露在大量的辐射中，也成为器件最高可靠性的一面旗帜。例如六个月的火星之旅，需要面对的辐射相当于300毫西弗水平，而国际空间站上六个月大约是90毫西弗。相比之下，地球上民用器件的辐射环境通常不到不到1毫西弗。
图：火星车的计算、控制等系统需要大量IC
因此，前往火星的器件是目前人类技术能够达到的另一个水准，这样的强抗辐射器件IR HiRel一共制造了数千个，主要用于NASA的探测器和火星车中。
迄今为止，IR HiRel开发的芯片共参与了五次NASA的火星探测计划，最近一次是2021年发射的“恒心”号。
IR HiRel的宇航级MOSFET、IC和功率半导体被用于飞行计算机、电机控制、雷达和任务仪器中。同时，为了长期研究火星生命迹象，器件受到了空前苛刻的空间环境测试。
据英飞凌的消息，英飞凌开发的存储器已经实现了零缺陷，所有宇航级存储产品均需要送到美国本土完成封装和测试，数据保存能力高达100至250年。
迄今为止，IR HiRel的工程师为2,000多个不同的任务提供了可靠的支持，包括DC-DC、稳压器、功率晶体管、二极管和IC，用项目负责人的话说，“我们的产品几乎出现在每个太空项目中”。
