近日，韩国研究机构OERI在报告中称，估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。
合肥长鑫是国产DRAM的代表企业，预计今年计划推动第二代10nm（1y或者说16/17nm），而韩国三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级（1b或者说12nm）内存芯片。
一般而言，DRAM每一代的演进时间是2年到2年半，故根据计算两国的技术差距在5年。按照正常节奏，国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距，但因为中国受到美国制裁，中国无法引入EUV设备，所以让中国缩短这一差距变得困难重重。
在NAND闪存方面,中国与韩国的技术差距估计大约两年。长江存储是在2021年8月开始大规模生产128层3D NAND闪存。而三星和SK海力士是自2019年以来已经大规模生产它们。
