7月27日，安世半导体官微发布消息称，公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET。
来源：安世半导体
据悉，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。
RDS(on) 与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。
除了采用DSN1006封装的这两款MOSFET外，Nexperia（安世半导体）还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在VGS= 4.5 V时的最大RDS(on)为16mΩ，0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007）尺寸下可具备市场领先的效率。
