近日，美光宣布已经提前量产全球首款232层3D NAND芯片，这预示着3D NAND芯片正式进入200+层时代。
图源：美光
据悉，单颗232层3D NAND芯片可以提供高达1TB的巨大存储容量，相比176层3D NAND芯片性能有极大提升。单位面积密度高出45%以上、数据处理速度快50%，如果使用全新的11.5mmx13.5mm封装技术，就可以比上一代封装的芯片体积再小28%。产品可以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。
今年5月，美光表示232层NAND闪存的量产定于今年年底。然而，它比原计划提前了两个月发布了这款产品，美光期待该产品能成为人工智能和云计算领域的高性能产品。
目前，三星、西部数据、铠侠等厂商也都在往200+层3D NAND闪存领域发力，竞争愈发激烈。
据TrendForce数据显示，美光在2022年第一季度全球NAND闪存市场占据10.9%的份额，位列第五。三星电子和SK海力士是领跑者，紧随其后的是铠侠和西部数据。
