美国化合物半导体材料供应商II-VI官方宣布，已和东莞天域半导体（TYSiC）完成了一项超过1亿美元的合同。
来源：II-VI
II-VI称，将向东莞天域半导体提供150mm（6英寸）的碳化硅衬底，从本季度开始到2023年年底交付。
II-VI新创企业和宽带电子技术业务部执行副总裁Sohail Khan说：“2021年11月，我们很高兴地宣布，天域公司选择了II-VI作为其主要的战略合作伙伴，供应用于电力电子的150毫米SiC衬底，随着终端需求的大幅增长，天域公司必须通过这个长期的、大批量的合同来确保其供应，这个合同将是经常性的，并且随着时间的推移，其价值也在增长。”
为了满足亚洲市场的需求，II-VI于2021年在中国福州的II-VI“亚洲地区总部”建立了一条SiC衬底的后端加工生产线，其洁净室面积超过50000平方英尺。
来源：天域
公开信息显示，天域(TYSiC)成立于2009年，是中国第一家从事碳化硅 (SiC) 外延晶片市场营销、研发和制造的民营企业。同时，天域是中国第一家碳化硅半导体材料供应链获得汽车质量认证(IATF 16949)的企业 。
目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉-CVD。凭着最先进的外延炉设备、外延技术和最先进的测试和表征能力，为全球客户提供n-型和p-型掺杂外延材料、制作肖特基二极管、JFET、BJT、MOSFET，GTO 和 IGBT等。
