据外媒Tomshardware报道，俄罗斯一家研究单位正在研究开发可被用于7纳米制程芯片生产的光刻扫描仪，不过该工具将与ASML或Nikon等公司生产的光刻扫描仪有所不同。
图源：Tomshardware
报道称，俄罗斯科学院下属的俄罗斯应用物理研究所乐观预期，俄罗斯到2028年能够成功研发且量产出具有7纳米制造能力的微影光刻设备，并预期设备研发生完成后可能会比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。
消息一出有众多人都不相信，毕竟ASML开发Twinscan NXT:2000i就花费了超过10年时间，而俄罗斯应用物理研究所在芯片生产没有任何经验或与芯片制造商没有任何联系，用六年实现量产难度堪比登天。
据报道称，原因在于俄罗斯研发的微影光刻设备将与ASML、Nikon等公司生产的光刻扫描仪有所不同。例如俄罗斯应用物理研究所计划使用大于600W的光源、曝光波长为 11.3nm（EUV 波长为13.5nm）。由于该设备的光源功率相对较低，这将使工具更紧凑，更易于构建。然而这也意味着其扫描仪的产量将大大低于现代深紫外 (DUV) 工具的产量。
根据俄罗斯应用物理研究所的研发计划，将于2024年之前建造一个功能齐全的首代微影光刻设备，使其能运作和对潜在投资者有吸引力。紧接计划于2026年之前制造出具有更高生产力和解析度的微影光刻设备的测试版设备，可以实现量产晶圆；微影光刻设备终极版本将于2028年问世，其不但要能获得高性能光源，并且具有更好的计算量测和整体能力。
