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Qorvo宣布签下多年期SiC晶圆供应协议

来源:贴片电容 发布时间:2022-11-12 浏览:210

射频大厂Qorvo宣布与晶圆制造商SK Siltron CSS签署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供应协议。


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图:SK Siltron CSS展示SiC晶圆


Qorvo表示,此次合作将提高半导体供应链的弹性,并更好地满足汽车市场对先进碳化硅解决方案迅速增长的需求。随着客户采用Qorvo业界领先的第 4 代SiC FET解决方案,该协议还会为他们提供更好的保护并增强其信心。

众所周知,SiC器件在处理高功率、热传导等方面均优于传统的硅材料。当用于电动汽车系统时,可以更高效地将电力从电池传输到电机,增加5%至10%的续航里程。

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图:Qorvo推出750V SiC FET


时间追溯到2021年11月为了进一步丰富SiC器件产品线,射频大厂Qorvo收购碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC,将SiC FET、JFET和肖特基二极管等通用器件产品线收入囊中,同时获得了后者在电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源等领域的客户

Qorvo表示,计划将新公司整合到其基础设施和国防产品 (IDP) 业务中,并提供涵盖电源转换、运动控制和电路保护应用的半导体解决方案。

同时,SiC产品线对材料(SiC晶圆、外延片)的依赖性极强,尤其是在电动汽车需求爆发和全球SiC晶圆产能紧缺的情况下,SiC器件大厂英飞凌、安森美、ST意法等纷纷通过收购或长约方式抢订产能。



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