美光宣布为应对市场状况，公司将内存DRAM和闪存NAND晶圆生产开工率比2022财年第四季度降低约20%。
图：美光晶圆厂
美光预计，2023年公司内存DRAM供应量将同比下降，闪存NAND供应量同比增长10%以内。美光认为，为显著改善供应链的总库存，2023年内存DRAM供应量需同比下降，闪存NAND供应量增长需大大低于先前预期。
美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示：“美光正大刀阔斧地减少供应量增长以缩减公司库存规模。我们将继续监测行业状况，并根据需要做出进一步调整。尽管近期面临周期性挑战，但我们仍对市场的长期需求驱动因素充满信心，从长期来看，我们预计公司内存和存储营收增长将居半导体行业之首。”
