5月17日，电子时报援引产业人士消息称，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出产品。
图：已经量产的128层QLC颗粒
报道称，由于长江存储128层3D NAND闪存工艺良率已改善至较好水平，长江存储也将月产量扩大至10万片晶圆。预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%。
在3D闪存方面，目前美光、三星都已经量产176层闪存，西数、铠侠之前合作的是112层闪存，今年将量产162层堆栈的闪存，长江存储192层闪存技术水平达到甚至超过了他们的量产型闪存。
不过三星今年底将量产224层堆栈的新一代3D闪存，美光近期也官宣了232层堆栈的3D闪存，只是要到明年才能量产，总体上还是会领先国产1-2年时间。
对于国产闪存来说，目前最关键的地方还不是技术，而是产能，长江存储两期工程的总产能也不过30万片晶圆/月，相比三星、铠侠等公司来说还是低不少，特别是这几年全球半导体厂商都在扩大产能，2021年全球产能应该会超过200万晶圆/月，未来几年有望超过250万晶圆/月。
